11月20日，記者從太原中北高新技術產業開發區獲悉，該區企業山西天成半導體材料有限公司繼今年成功研制12英寸導電型碳化硅單晶材料后，依托自主研發設備，又攻克12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料技術難關，實現大尺寸碳化硅核心材料雙技術路線的重大突破。

天成半導體成立於2021年8月，是太原中北高新技術產業開發區培育的高新、專精特新技術企業典范。依托區域良好的創新生態，企業已構建完整自主知識產權技術體系，斬獲多項專利軟著，其長晶設備獲歐盟CE認証，企業更通過IATF16949車規質量管理體系認証，為產品進入高端市場奠定堅實基礎。

目前，該企業已形成“裝備+耗材+工藝服務”一體化解決方案能力，率先實現8英寸至12英寸導電型與半絕緣型碳化硅單晶材料可量產化。12英寸導電型碳化硅單晶材料晶體有效厚度已突破35毫米，自主研發的長晶設備可產出直徑達350毫米的單晶材料，更形成了12英寸高純半絕緣與N型單晶生長雙成熟工藝體系。

這一系列成果的取得，源於企業對核心技術的持續攻堅，其先后攻克大尺寸擴徑工藝、低缺陷單晶生長工藝等技術瓶頸，構建起從長晶設備制造、粉料制備、熱場石墨組件制備到晶體加工的全流程自主可控生產線，產品質量達到國際領先水平。

近年來，太原中北高新技術產業開發區通過構建完善創新生態、強化要素保障，推動半導體產業集群化發展，培育出一批掌握核心技術的優質企業，此次天成半導體的技術突破，是其深耕半導體產業、強化創新驅動的生動縮影。中北高新區將持續為企業提供全生命周期服務，支持天成半導體等企業推進技術產業化落地，加速構建新興產業集聚區，助力半導體產業自主可控發展。（記者范珉菲）

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